规格书 |
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Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
1,000 |
FET 型
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MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
70A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
5.2 mOhm @ 70A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
4V @ 33µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
42nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
3300pF @ 20V |
功率 - 最大 |
79W |
安装类型
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Surface Mount |
包/盒
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TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 |
PG-TO263-2 |
包装材料
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Tape & Reel (TR) |
工厂包装数量 |
1000 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
配置 |
Single |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
70 A |
系列 |
IPB052N04 |
安装风格 |
SMD/SMT |
RDS(ON) |
5.2 mOhms |
封装 |
Reel |
功率耗散 |
79 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
封装/外壳 |
TO-263 |
典型关闭延迟时间 |
19 ns |
零件号别名 |
IPB052N04NGATMA1 |
上升时间 |
3.2 ns |
最高工作温度 |
+ 175 C |
漏源击穿电压 |
40 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
下降时间 |
4 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
宽度 |
9.25 mm |
品牌 |
Infineon Technologies |
通道数 |
1 Channel |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current |
70 A |
长度 |
10 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
5.2 mOhms |
通道模式 |
Enhancement |
身高 |
4.4 mm |
典型导通延迟时间 |
13 ns |
Pd - Power Dissipation |
79 W |
技术 |
GaN |